- Codice RS:
- 812-0528
- Codice costruttore:
- ATF-53189-BLK
- Costruttore:
- Broadcom
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 812-0528
- Codice costruttore:
- ATF-53189-BLK
- Costruttore:
- Broadcom
Normative
Dettagli prodotto
Transistor RF FET GaAs, Avago Technologies
I transistor RF GaAs FET sono ideali per la prima o la seconda fase degli amplificatori a bassa rumorosità (LNA) della stazione di base. Le specifiche vantano uneccellente combinazione di bassa rumorosità e linearità ottimizzata. Questi transistor RF MESFET GaAs di Avago Technologies sono progettati per l'uso in applicazioni wireless e ad alta frequenza.
Transistor MESFET, Avago Technologies
I transistor a effetto sul campo (MESFET) in metallo-semiconduttore offrono migliori prestazioni ad alta frequenza rispetto alle loro controparti JFET e MOSFET. Sono utilizzati più di frequente in amplificatori RF con ingresso frontale a bassa rumorosità e ricevitori di microonde.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di amplificatore | Amplificatore lineare, bassa rumorosità, amplificatore di potenza |
Guadagno potenza tipico | 17,2 dB |
Potenza di uscita tipica | 23dBm |
Figura di rumore tipica | 0.85dB |
Numero di canali per chip | 1 |
Frequenza operativa massima | 6 GHz |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOT-89 |
Numero pin | 3 |
Dimensioni | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
Altezza | 1.6mm |
Lunghezza | 4.6mm |
Larghezza | 2.6mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
- Codice RS:
- 812-0528
- Codice costruttore:
- ATF-53189-BLK
- Costruttore:
- Broadcom