- Codice RS:
- 125-4215
- Codice costruttore:
- FM24V10-G
- Costruttore:
- Infineon
- Codice RS:
- 125-4215
- Codice costruttore:
- FM24V10-G
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica da 1 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 128K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
Frequenza fino a 3,4 MHz
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo e numero di serie
ID produttore e ID prodotto
Numero di serie univoco (FM24VN10)
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175 μA a 100 kHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità di attesa 5 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
Frequenza fino a 3,4 MHz
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo e numero di serie
ID produttore e ID prodotto
Numero di serie univoco (FM24VN10)
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175 μA a 100 kHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità di attesa 5 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 1Mbit |
Organizzazione | 128000 byte x 8 bit |
Interfacce | Serial-2 Wire, Serial-I2C |
Larghezza del bus dati | 8bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 450ns |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOIC |
Numero pin | 8 |
Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Lunghezza | 4.97mm |
Larghezza | 3.98mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Altezza | 1.48mm |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V |
Numero di parole | 128K |
Numero di bit per parola | 8bit |
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