Transistor MOSFET N Channel IRF530N
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Prezzo per: Unità | ||||||
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Specifiche
| Altezza | 8.77mm | |
| Capacità tipica in ingresso @ Vds | 920 pF a 25 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 37 nC a 10 V | |
| Categoria | MOSFET di potenza | |
| Configurazione | Single | |
| Corrente massima continuativa di drain | 17 A | |
| Dimensioni | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | |
| Dissipazione di potenza massima | 70 W | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 0,09 Ω | |
| Ritardo di accensione tipico | 9,2 ns | |
| Ritardo di spegnimento tipico | 35 ns | |
| Tensione massima drain source | 100 V | |
| Tensione massima gate source | ±20 V | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di package | TO-220AB |
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MOSFET a canale N 17 A
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MOSFET & JFET - Canale N
Il transistor a effetto di campo a semiconduttore ossido-metallo o MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) è un transistor usato per amplificare o commutare segnali elettronici.
Una tensione sull'elettrodo gate con isolamento in ossido può creare un canale di conduzione tra gli altri due altri contatti denominati Source e Drain. Il canale può essere di tipo N o di tipo P.