- Codice RS:
- 462-3102
- Codice costruttore:
- SGW30N60FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 462-3102
- Codice costruttore:
- SGW30N60FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor IGBT discreti Infineon
I transistor IGBT discreti di Infineon offrono diverse tecnologie quali NPT, Trenchstop™ e Fieldstop. Possono essere utilizzati in molte applicazioni che possono richiedere commutazione hard e soft quali unità industriali, UPS, inverter, elettrodomestici e cucine a induzione. Alcuni dispositivi includono un diodo antiparallelo o un diodo integrato monoliticamente.
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 41 A |
Tensione massima collettore emitter | 600 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Tipo di canale | N |
Numero pin | 3 |
Configurazione transistor | Singolo |
Dimensioni | 15.9 x 5.3 x 20.95mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |