MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 463-307
Codice costruttore:: NTF3055L108T1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile e non prenotabile.

Il prodotto non è disponibile e al momento non è possibile prenotarlo per consegne future.

Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 20

0,682 €

(IVA esclusa)

0,832 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
20 - 80	0,682 €	13,64 €
100 - 180	0,504 €	10,08 €
200 +	0,492 €	9,84 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 463-307
Codice costruttore:: NTF3055L108T1G
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +15 V
Larghezza	3.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,6 nC a 5 V
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.57mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 463-307
Codice costruttore:: NTF3055L108T1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

Specifiche

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

Link consigliati