- Codice RS:
- 671-0324P
- Codice costruttore:
- BSS138
- Costruttore:
- onsemi
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Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.
€ 0,224
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€ 0,273
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Unità | Per unità |
50 - 90 | € 0,224 |
100 - 240 | € 0,212 |
250 - 490 | € 0,202 |
500 + | € 0,191 |
- Codice RS:
- 671-0324P
- Codice costruttore:
- BSS138
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 220 mA |
Tensione massima drain source | 50 V |
Tipo di package | SOT-23 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 3,5 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 1.5V |
Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
Dissipazione di potenza massima | 360 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Lunghezza | 2.92mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 1,7 nC a 10 V |
Larghezza | 1.3mm |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 0.93mm |