MOSFET Semelab, canale P, 8 A, TO-247, Su foro

Prodotto discontinuato

Documentazione Tecnica

Transistor MOSFET, Semelab

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	160 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.31mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	16.26mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	21.46mm