MOSFET Infineon, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 752-7773
- Codice costruttore:
- 2N7002H6327XTSA2
- Costruttore:
- Infineon
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 100
0,082 €
(IVA esclusa)
0,10 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 100 - 900 | 0,082 € | 8,20 € |
| 1000 - 2400 | 0,078 € | 7,80 € |
| 2500 - 4900 | 0,075 € | 7,50 € |
| 5000 - 9900 | 0,072 € | 7,20 € |
| 10000 + | 0,067 € | 6,70 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 752-7773
- Codice costruttore:
- 2N7002H6327XTSA2
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 300 mA |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Serie | OptiMOS |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 4 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 500 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Larghezza | 1.3mm |
| Lunghezza | 2.9mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 0,4 nC a 10 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 1mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 752-7773
- Codice costruttore:
- 2N7002H6327XTSA2
- Costruttore:
- Infineon
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