MOSFET STMicroelectronics, canale N, 17 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Documentazione Tecnica

I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	60 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +15 V
Larghezza	6.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	40 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.6mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	2.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	STripFET II