MOSFET STMicroelectronics, canale N, 360 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 760-9881
- Codice costruttore:
- STD13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 760-9881
- Codice costruttore:
- STD13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 11 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 360 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 90 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -25 V, +25 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 30 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 6.6mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 6.2mm |
| Altezza | 2.4mm |
| Serie | MDmesh |
- Codice RS:
- 760-9881
- Codice costruttore:
- STD13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics