- Codice RS:
- 864-8405
- Codice costruttore:
- FDMS8320LDC
- Costruttore:
- onsemi
45 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
2,714 €
(IVA esclusa)
3,311 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
5 - 5 | 2,714 € | 13,57 € |
10 - 95 | 2,302 € | 11,51 € |
100 - 245 | 1,846 € | 9,23 € |
250 - 495 | 1,744 € | 8,72 € |
500 + | 1,634 € | 8,17 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 864-8405
- Codice costruttore:
- FDMS8320LDC
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 192 A |
Tensione massima drain source | 40 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo di package | PQFN8 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 1,7 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 125 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 5.1mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Larghezza | 5.85mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 121 nC a 10 V |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 1.05mm |
Link consigliati
- MOSFET onsemi 5 mΩ PQFN8, Montaggio superficiale
- MOSFET ON Semiconductor 1 100 A PQFN8, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 100 A PQFN8, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 103 mΩ PQFN8, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 3 130 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 12 mΩ PQFN8, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 150 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 7 116 A Montaggio superficiale