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Transistor PNP Toshiba, 3 Pin, TO-3PL, -15 A, -230 V, , Montaggio su foro
  • € 2,71Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
Transistor PNP Toshiba, 3 Pin, TO-3PL, -15 A, -230 V, , Montaggio su foro
  • Tipo transistorPNP
  • Corrente c.c. massima collettore-15 A
  • Tensione massima collettore emitter-230 V
  • Tipo di packageTO-3PL
  • Tipo di montaggioSu foro
Prodotti simili in Transistor bipolari
Transistor PNP Toshiba, 3 Pin, TO-3PL, -15 A, -230 V, , Montaggio su foro
  • € 1,98
    Each (In a Tube of 100)
Transistor PNP Toshiba, 3 Pin, TO-3PL, -15 A, -230 V, , Montaggio su foro
  • Tipo transistorPNP
  • Corrente c.c. massima collettore-15 A
  • Tensione massima collettore emitter-230 V
  • Tipo di packageTO-3PL
  • Tipo di montaggioSu foro
Prodotti simili in Transistor bipolari
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • € 2,855
    1pz in confezione da 2
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain9 A
  • Tensione massima drain source900 V
  • Serie2SK
  • Tipo di packageTO-3PN
Prodotti simili in MOSFET
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P
  • € 2,889
    Each (In a Tube of 50)
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P
  • Corrente massima continuativa collettore30 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima170 W
  • Tipo di packageTO-3P
Prodotti simili in IGBT
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P
  • € 3,60Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P
  • Corrente massima continuativa collettore30 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±20V
  • Dissipazione di potenza massima170 W
  • Tipo di packageTO-3P
Prodotti simili in IGBT
MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
  • € 0,948
    1pz in confezione da 5
MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain60 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
  • € 0,625
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain60 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageTO-220
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • € 3,003
    Each (In a Tube of 25)
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain9 A
  • Tensione massima drain source900 V
  • SerieTK
  • Tipo di packageTO-3PN
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • € 4,56Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain9 A
  • Tensione massima drain source900 V
  • SerieTK
  • Tipo di packageTO-3PN
Prodotti simili in MOSFET
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS
  • € 1,545
    Each (In a Tube of 50)
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS
  • Corrente massima continuativa collettore15 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±25V
  • Dissipazione di potenza massima30 W
  • Tipo di packageTO-220SIS
Prodotti simili in IGBT
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS
  • € 1,894
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS
  • Corrente massima continuativa collettore15 A
  • Tensione massima collettore emitter600 V
  • Tensione massima gate emitter±25V
  • Dissipazione di potenza massima30 W
  • Tipo di packageTO-220SIS
Prodotti simili in IGBT
MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale
  • € 2,439
    Unità (Su Bobina da 1000)
MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain1 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Serie2SK
  • Tipo di packageSC-62
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale
  • € 3,69Unità
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain1 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • Tipo di packageSC-62
  • Serie2SK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro
  • € 0,727
    1pz in confezione da 10
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain30 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageTO-220SIS
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro
  • € 0,484
    Each (In a Tube of 50)
MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain30 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Tipo di packageTO-220SIS
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 100 mΩ, 5 A, PW Mold2, Su foro
  • € 0,303
    1pz in confezione da 20
MOSFET Toshiba, canale N, 100 mΩ, 5 A, PW Mold2, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain5 A
  • Tensione massima drain source60 V
  • Serie2SK
  • Tipo di packagePW Mold2
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 1,7 Ω, 6 A, SC-67, Su foro
  • € 1,58
    1pz in confezione da 5
MOSFET Toshiba, canale N, 1,7 Ω, 6 A, SC-67, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain6 A
  • Tensione massima drain source800 V
  • Serie2SK
  • Tipo di packageSC-67
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • € 0,558
    1pz in confezione da 5
  • Disponibili anche in Confezione per Produzione
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain10 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • SerieTPC
  • Tipo di packageSOP
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
  • € 2,862
    Each (In a Tube of 30)
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
  • Tipo di canaleN
  • Corrente massima continuativa di drain20 A
  • Tensione massima drain source600 V
  • Tipo di packageTO-247
  • SerieTK
Prodotti simili in MOSFET
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • € 0,363
    Unità (Su Bobina da 2500)
MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale
  • Tipo di canaleP
  • Corrente massima continuativa di drain10 A
  • Tensione massima drain source30 V
  • SerieTPC
  • Tipo di packageSOP
Prodotti simili in MOSFET
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