- Codice RS:
- 180-7319
- Codice costruttore:
- SI7489DP-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
- Codice RS:
- 180-7319
- Codice costruttore:
- SI7489DP-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET SO-8 a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 41mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 28A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
Senza alogeni
nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con profilo basso di 1,07 mm
la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
PWM ottimizzato
MOSFET di potenza TrenchFET da
nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con profilo basso di 1,07 mm
la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
PWM ottimizzato
MOSFET di potenza TrenchFET da
Applications
azionamenti per motori half-bridge
Convertitori buck non sincroni ad alta tensione
interruttori di carico
Convertitori buck non sincroni ad alta tensione
interruttori di carico
Certificazioni
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
IEC 61249-2-21
BS EN 61340-5-1:2007
IEC 61249-2-21