MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 150V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 105mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3,5 W e una corrente di drain continua di 4,1 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

MOSFET doppio • per un risparmio di spazio
• Senza alogeni
• componente senza piombo (Pb)
• bassa resistenza in stato attivo in un nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• convertitori half-bridge e forward
• interruttori sul lato primario ad alta efficienza

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato