MOSFET Vishay
- Codice RS:
- 180-7808
- Codice costruttore:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 20
0,549 €
(IVA esclusa)
0,67 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 20 - 180 | 0,549 € | 10,98 € |
| 200 - 480 | 0,538 € | 10,76 € |
| 500 - 980 | 0,411 € | 8,22 € |
| 1000 - 1980 | 0,324 € | 6,48 € |
| 2000 + | 0,247 € | 4,94 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 180-7808
- Codice costruttore:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Il Vishay SIA537EDJ è un MOSFET a canale P&N con tensione drain-source (Vds) di -20V per canale P e 12V per canale N. Tensione da gate a source (VGS) 8V. È dotato di un contenitore Power PAK SC-70. Offre una resistenza RDS (drain-source) di 0,028 ohm a 4,5 VGS e 0,033 ohm a 2,5 VGS. Per canale N e 0,054ohm, 0,07 per canale P o Corrente di drain massima 4,5 a per canale N e -4,5 per canale P.
MOSFET di potenza Trench FET
Protezione ESD tipica: Canale N 2400 V, canale P 2000 V.
Testato al 100% con Rg
Protezione ESD tipica: Canale N 2400 V, canale P 2000 V.
Testato al 100% con Rg
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