MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263 a canale N di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 160mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 88W. Ha una tensione di pilotaggio di 10V. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• disponibile in nastro e bobina
• valore nominale DV/dt dinamico
• facilità di collegamento in parallelo
Commutazione rapida •
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Valore nominale a valanga ripetitivo di •

• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •