- Codice RS:
- 188-2841P
- Codice costruttore:
- W29N02GVBIAF
- Costruttore:
- Winbond
- Codice RS:
- 188-2841P
- Codice costruttore:
- W29N02GVBIAF
- Costruttore:
- Winbond
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TW
Dettagli prodotto
Densità : 2Gbit (soluzione a chip singolo)
Vcc : da 2,7 V a 3,6 V.
Larghezza bus: x8
Temperatura d'esercizio
Industriale: da -40 a 85 °C
Tecnologia SLC (Single Level Cell).
Organizzazione
Densità: 2 G-bit/256 M-byte
Dimensioni pagina
2,112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione del blocco
64 pagine (128K + 4K byte)
Massime Prestazioni
Prestazioni di lettura (max.)
Lettura casuale: 25US
Ciclo di lettura sequenziale: 25ns
Prestazioni cancellazione scrittura
Tempo di programmazione pagina: 250 us
Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms
Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(2)
conservazione dei dati per 10 anni
Set di comandi
Set di comandi NAND standard
Supporto di comandi aggiuntivi
Lettura Cache Sequenziale
Lettura Cache Casuale
Programma Cache
Copia Indietro
Funzionamento a due piani
Contattare Winbond per la funzione OTP
Contattare Winbond per la funzione blocco blocco
Basso consumo energetico
Leggi: 25mA(tip.3V)
Programma/Cancella: 25mA(tip.3V)
CMOS standby: 10uA(tip.)
Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio
Standard a 48 pin TSOP1
VFBGA a 63 sfere
Vcc : da 2,7 V a 3,6 V.
Larghezza bus: x8
Temperatura d'esercizio
Industriale: da -40 a 85 °C
Tecnologia SLC (Single Level Cell).
Organizzazione
Densità: 2 G-bit/256 M-byte
Dimensioni pagina
2,112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione del blocco
64 pagine (128K + 4K byte)
Massime Prestazioni
Prestazioni di lettura (max.)
Lettura casuale: 25US
Ciclo di lettura sequenziale: 25ns
Prestazioni cancellazione scrittura
Tempo di programmazione pagina: 250 us
Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms
Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(2)
conservazione dei dati per 10 anni
Set di comandi
Set di comandi NAND standard
Supporto di comandi aggiuntivi
Lettura Cache Sequenziale
Lettura Cache Casuale
Programma Cache
Copia Indietro
Funzionamento a due piani
Contattare Winbond per la funzione OTP
Contattare Winbond per la funzione blocco blocco
Basso consumo energetico
Leggi: 25mA(tip.3V)
Programma/Cancella: 25mA(tip.3V)
CMOS standby: 10uA(tip.)
Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio
Standard a 48 pin TSOP1
VFBGA a 63 sfere
Memoria flash NAND 2GB SLC con dimensioni pagina 2KB+64B uniformi.
Larghezza bus: x8
Lettura casuale: 25US
Tempo programma pagina: 250us(tip.)
Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.)
Supporta L'Area Di Memoria Otp
Lettura casuale: 25US
Tempo programma pagina: 250us(tip.)
Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.)
Supporta L'Area Di Memoria Otp
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 2Gbit |
Interfacce | Parallelo |
Tipo di package | VFBGA |
Numero pin | 63 |
Organizzazione | 256M x 8 bit |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di cella | SLC NAND |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Organizzazione a blocchi | Simmetrico |
Lunghezza | 11.1mm |
Altezza | 0.6mm |
Larghezza | 9.1mm |
Dimensioni | 11.1 x 9.1 x 0.6mm |
Serie | W29N |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Tempo di accesso casuale massimo | 25µs |
Numero di bit per parola | 8bit |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Numero di parole | 256M |