- Codice RS:
- 124-2984
- Codice costruttore:
- FM24V05-G
- Costruttore:
- Infineon
454 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Unità
13,64 €
(IVA esclusa)
16,64 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 13,64 € |
10 - 24 | 11,09 € |
25 - 99 | 10,84 € |
100 - 499 | 10,53 € |
500 + | 10,29 € |
- Codice RS:
- 124-2984
- Codice costruttore:
- FM24V05-G
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 512 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 64 K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Frequenza fino a 3,4 MHz
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175 μA a 100 kHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità di attesa 5 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Frequenza fino a 3,4 MHz
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175 μA a 100 kHz
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Corrente in modalità di attesa 5 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 512kbit |
Organizzazione | 64K x 8 bit |
Interfacce | Seriale I2C |
Larghezza del bus dati | 8bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 450ns |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOIC |
Numero pin | 8 |
Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
Lunghezza | 4.97mm |
Larghezza | 3.98mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Altezza | 1.47mm |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Numero di parole | 64K |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V |
Numero di bit per parola | 8bit |
Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 |
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