- Codice RS:
- 188-5425
- Codice costruttore:
- FM25W256-G
- Costruttore:
- Infineon
873 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 97)
7,626 €
(IVA esclusa)
9,304 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
97 - 97 | 7,626 € | 739,722 € |
194 - 194 | 6,856 € | 665,032 € |
291 - 485 | 6,818 € | 661,346 € |
582 - 970 | 6,383 € | 619,151 € |
1067 + | 6,116 € | 593,252 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 188-5425
- Codice costruttore:
- FM25W256-G
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- US
Dettagli prodotto
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 256 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 32K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Fino a 20 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
Basso consumo energetico
Corrente attiva 250 μA a 1 MHz
Corrente di standby 15 μA (tip.)
Funzionamento a tensione elevata: VDD = da 2,7 V a 5,5 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Fino a 20 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
Basso consumo energetico
Corrente attiva 250 μA a 1 MHz
Corrente di standby 15 μA (tip.)
Funzionamento a tensione elevata: VDD = da 2,7 V a 5,5 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 256kbit |
Organizzazione | 32K x 8 bit |
Interfacce | SPI |
Larghezza del bus dati | 8bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 20ns |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOIC |
Numero pin | 8 |
Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Lunghezza | 4.97mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V |
Larghezza | 3.98mm |
Altezza | 1.48mm |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Numero di parole | 32k |
Numero di bit per parola | 8bit |
Link consigliati
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