- Codice RS:
- 748-1112
- Codice costruttore:
- VS-GB75YF120UT
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 748-1112
- Codice costruttore:
- VS-GB75YF120UT
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- IT
Dettagli prodotto
Moduli IGBT, Vishay
I moduli IGBT ad elevata efficienza Vishay vengono forniti con una scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench. La gamma comprende interruttori singoli, inverter, chopper, half-bridge o in configurazioni personalizzate. Questi moduli IGBT sono progettati per essere utilizzati come un dispositivo di commutazione principale in alimentatori switching, alimentatori continui, saldatura industriale, azionamenti e sistemi di correzione del fattore di potenza.
Tra le applicazioni tipiche: convertitori boost e buck, convertitori diretti e convertitori diretti doppi, half bridge, full bridge (H-bridge) e ponti trifase.
Tra le applicazioni tipiche: convertitori boost e buck, convertitori diretti e convertitori diretti doppi, half bridge, full bridge (H-bridge) e ponti trifase.
Vasta gamma di tipi di contenitore standard industriale
Montaggio diretto su dissipatore
Scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench
IGBT Low-VCE(on)
Frequenza di commutazione da 1 kHz a 150 kHz
Robuste prestazioni contro i transienti
Alta tensione di isolamento fino a 3500 V
Al 100 % senza piombo e conformi alla direttiva RoHS
Bassa resistenza termica
Ampia gamma di temperature d'esercizio (da -40 °C a +175 °C)
Montaggio diretto su dissipatore
Scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench
IGBT Low-VCE(on)
Frequenza di commutazione da 1 kHz a 150 kHz
Robuste prestazioni contro i transienti
Alta tensione di isolamento fino a 3500 V
Al 100 % senza piombo e conformi alla direttiva RoHS
Bassa resistenza termica
Ampia gamma di temperature d'esercizio (da -40 °C a +175 °C)
Moduli IGBT, Vishay
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 100 A |
Tensione massima collettore emitter | 1200 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Dissipazione di potenza massima | 480 W |
Configurazione | Dual Half Bridge (DHB) |
Tipo di package | ECONO2 |
Tipo di montaggio | Montaggio su circuito stampato |
Tipo di canale | N |
Numero pin | 35 |
Configurazione transistor | Dual Half Bridge (DHB) |
Dimensioni | 107.8 x 45.4 x 13.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |