MOSFET Toshiba, canale N, 100 mΩ, 5 A, PW Mold2, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 100 mΩ, 5 A, PW Mold2, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 185-580
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

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Documentazione Tecnica

Transistor MOSFET, Toshiba

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	2SK
Tipo di package	PW Mold2
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	2.3mm
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Altezza	5.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C