MOSFET Toshiba, canale N, 5 Ω, 2 A, PW Mold2, Su foro

Prodotto discontinuato

Documentazione Tecnica

Transistor MOSFET, Toshiba

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	PW Mold2
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	20000 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	2.3mm
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	5.5mm