- Codice RS:
- 415-354P
- Codice costruttore:
- 2SK3878(F)
- Costruttore:
- Toshiba
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 415-354P
- Codice costruttore:
- 2SK3878(F)
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N , serie 2SK, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 9 A |
Tensione massima drain source | 900 V |
Tipo di package | TO-3PN |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 1,3 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4V |
Dissipazione di potenza massima | 150 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Lunghezza | 15.9mm |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.8mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 60 nC a 10 V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Serie | 2SK |
Altezza | 19mm |