MOSFET onsemi, canale N, 5 Ω, 500 mA, TO-92, Su foro
- Codice RS:
- 124-1745
- Codice costruttore:
- BS170
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in un sacchetto da 1000)
0,106 €
(IVA esclusa)
0,129 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Borsa* |
| 1000 - 2000 | 0,106 € | 106,00 € |
| 3000 + | 0,085 € | 85,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
Alternativa
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- Codice costruttore:
- BS170
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 500 mA |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-92 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 5 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3V |
| Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
| Dissipazione di potenza massima | 830 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 4.19mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 5.2mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 5.33mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |