MOSFET Wolfspeed, canale N, 90 mΩ, 35 A, TO-247-4, Su foro

Codice RS:: 125-3453P
Codice costruttore:: C3M0065100K
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale N, 90 mΩ, 35 A, TO-247-4, Su foro

1776 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Aggiunto

Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)

18,26 €

(IVA esclusa)

22,28 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
25 - 74	18,26 €
75 - 149	17,76 €
150 +	17,33 €

Codice RS:: 125-3453P
Codice costruttore:: C3M0065100K
Costruttore:: Wolfspeed

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza al carburo di silicio, serie C3M, Cree Inc.

Nuova tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) C3M
Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la gamma di temperature d'esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
8 mm di dispersione/gioco tra drain e source
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa resistenza in stato attivo drain-source
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso

Transistor MOSFET, Cree Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	35 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-247-4
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	113,5 W
Tensione massima gate source	-8 V, +19 V
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V
Lunghezza	16.13mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.21mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	SiC
Serie	C3M
Tensione diretta del diodo	4.8V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	23.6mm

Codice RS:: 125-3453P
Codice costruttore:: C3M0065100K
Costruttore:: Wolfspeed