- Codice RS:
- 541-1039
- Codice costruttore:
- IRFD110PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità
1,52 €
(IVA esclusa)
1,85 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 1,52 € |
10 - 49 | 1,23 € |
50 - 99 | 1,15 € |
100 - 249 | 1,07 € |
250 + | 1,01 € |
- Codice RS:
- 541-1039
- Codice costruttore:
- IRFD110PBF
- Costruttore:
- Vishay
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor
CARATTERISTICHE
MOSFET di potenza • TrenchFET®
Contenitore • con bassa resistenza termica
MOSFET di potenza • TrenchFET®
Contenitore • con bassa resistenza termica
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 1 A |
Tensione massima drain source | 100 V |
Tipo di package | HVMDIP |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 4 |
Resistenza massima drain source | 540 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 1,3 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Materiale del transistor | Si |
Carica gate tipica @ Vgs | 8,3 nC a 10 V |
Larghezza | 6.29mm |
Lunghezza | 5mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Altezza | 3.37mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |