MOSFET Vishay, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 542-9434
- Codice costruttore:
- IRF830APBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità
2,02 €
(IVA esclusa)
2,46 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 9 | 2,02 € |
| 10 - 49 | 1,72 € |
| 50 - 99 | 1,62 € |
| 100 - 249 | 1,51 € |
| 250 + | 1,42 € |
- Codice RS:
- 542-9434
- Codice costruttore:
- IRF830APBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor
Il MOSFET di potenza Vishay ha una bassa carica di gate Qg che si traduce in un semplice requisito di azionamento e ha una maggiore robustezza gate, effetto valanga e DV/dt dinamico.
Gamma di temperature di esercizio della giunzione e di stoccaggio: Da -55 a +150 °C.
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 5 A |
| Tensione massima drain source | 500 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1,4 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 74 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 24 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 4.7mm |
| Altezza | 9.01mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 542-9434
- Codice costruttore:
- IRF830APBF
- Costruttore:
- Vishay