- Codice RS:
- 671-4736
- Codice costruttore:
- BS170
- Costruttore:
- onsemi
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Prezzo per 1pz in confezione da 10
€ 0,29
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Unità | Per unità | Per Pack* |
10 - 90 | € 0,29 | € 2,90 |
100 - 240 | € 0,128 | € 1,28 |
250 - 490 | € 0,12 | € 1,20 |
500 + | € 0,115 | € 1,15 |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 671-4736
- Codice costruttore:
- BS170
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 500 mA |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 5 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3V |
Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
Dissipazione di potenza massima | 830 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.19mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 5.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Altezza | 5.33mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |