MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale

Codice RS:: 760-3132P
Codice costruttore:: 2SK3074(TE12L,F)
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

3,40 €

(IVA esclusa)

4,15 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
10 - 24	3,40 €
25 - 49	3,17 €
50 - 99	2,93 €
100 +	2,69 €

Codice RS:: 760-3132P
Codice costruttore:: 2SK3074(TE12L,F)
Costruttore:: Toshiba

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Transistor MOSFET RF, Toshiba

Transistor MOSFET, Toshiba

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	2SK
Tipo di package	SC-62
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+25 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	2.5mm
Guadagno potenza tipico	14,9 dB
Altezza	1.6mm

Codice RS:: 760-3132P
Codice costruttore:: 2SK3074(TE12L,F)
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1 A, SC-62, Montaggio superficiale

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