- Codice RS:
- 796-5153P
- Codice costruttore:
- TK9J90E
- Costruttore:
- Toshiba
- Codice RS:
- 796-5153P
- Codice costruttore:
- TK9J90E
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK8 e TK9, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 9 A |
Tensione massima drain source | 900 V |
Tipo di package | TO-3PN |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 1,3 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4V |
Dissipazione di potenza massima | 250 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Carica gate tipica @ Vgs | 46 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.5mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 15.5mm |
Serie | TK |
Altezza | 20mm |