MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 827-6167
- Codice costruttore:
- TK20N60W,S1VF(S
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
4,29 €
(IVA esclusa)
5,23 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 2 - 18 | 4,29 € | 8,58 € |
| 20 - 38 | 3,655 € | 7,31 € |
| 40 - 72 | 3,205 € | 6,41 € |
| 74 - 148 | 3,035 € | 6,07 € |
| 150 + | 2,96 € | 5,92 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-6167
- Codice costruttore:
- TK20N60W,S1VF(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 20 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Tipo di package | TO-247 |
| Serie | TK |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 155 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.7V |
| Dissipazione di potenza massima | 165 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Lunghezza | 15.94mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 48 nC a 10 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 5.02mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 20.95mm |
- Codice RS:
- 827-6167
- Codice costruttore:
- TK20N60W,S1VF(S
- Costruttore:
- Toshiba