MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro
- Codice RS:
- 827-6179
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
50 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
110 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,727 €
(IVA esclusa)
0,887 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 10 - 90 | 0,727 € | 7,27 € |
| 100 - 190 | 0,601 € | 6,01 € |
| 200 - 360 | 0,531 € | 5,31 € |
| 370 - 740 | 0,515 € | 5,15 € |
| 750 + | 0,505 € | 5,05 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-6179
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK3x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 30 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-220SIS |
| Serie | TK |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 15 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Dissipazione di potenza massima | 25 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 10mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 16 nC a 10 V |
| Larghezza | 4.5mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 15mm |
- Codice RS:
- 827-6179
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba