- Codice RS:
- 827-6179P
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Prodotto discontinuato
Alternativa
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- Codice RS:
- 827-6179P
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK3x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 30 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | TO-220SIS |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 15 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4V |
Dissipazione di potenza massima | 25 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Materiale del transistor | Si |
Lunghezza | 10mm |
Larghezza | 4.5mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 16 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Serie | TK |
Altezza | 15mm |
- Codice RS:
- 827-6179P
- Codice costruttore:
- TK30A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba