MOSFET Toshiba, canale N, 15 mΩ, 30 A, TO-220SIS, Su foro

Prodotto discontinuato

Alternativa

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

0,484 €

(IVA esclusa)

0,59 €

(IVA inclusa)

Transistor MOSFET, Toshiba

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	30 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220SIS
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	15 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10mm
Larghezza	4.5mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	16 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Serie	TK
Altezza	15mm