MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4205
Codice costruttore:: SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

87000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,155 €

(IVA esclusa)

0,189 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 - 3000	0,155 €	465,00 €
6000 +	0,147 €	441,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4205
Codice costruttore:: SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,6 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	51 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	5,8 nC a 10 V
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 919-4205
Codice costruttore:: SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

Specifiche

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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