MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro
- Codice RS:
- 919-4498
- Codice costruttore:
- IRFD110PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 100)
1,06 €
(IVA esclusa)
1,29 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 100 - 100 | 1,06 € | 106,00 € |
| 200 - 400 | 0,997 € | 99,70 € |
| 500 + | 0,901 € | 90,10 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 919-4498
- Codice costruttore:
- IRFD110PBF
- Costruttore:
- Vishay
Normative
- Paese di origine:
- PH
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor
CARATTERISTICHE
MOSFET di potenza • TrenchFET®
Contenitore • con bassa resistenza termica
MOSFET di potenza • TrenchFET®
Contenitore • con bassa resistenza termica
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 1 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Tipo di package | HVMDIP |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 540 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,3 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 5mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 8,3 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Larghezza | 6.29mm |
| Altezza | 3.37mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |