MOSFET DiodesZetex, canale N, 16 mΩ, 38 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1085P
Codice costruttore:: DMN3016LK3-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 16 mΩ, 38 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1085P
Codice costruttore:: DMN3016LK3-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3016LK3, 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	38 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	16 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.2mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	25,1 nC a 10 V
Larghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 16 mΩ, 38 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc