HEMT Broadcom ATF-58143-BLKG, Dual Source, 4 Pin

Un transistor a elevata mobilità di elettroni (HEMT, noto anche come FET a eterostruttura o eterogiunzione) è un FET di giunzione che sfrutta due materiali con band gap differenti (ad es. un eterogiunzione) come canale al posto della regione con drogaggio impiegata in un MOSFET. I transistor HEMT sono dotati di buone caratteristiche di alta frequenza e sono generalmente impiegati in applicazioni RF a bassa rumorosità e segnale ridotto.
HEMT, HFET, HJ-FET e MODFET sono tutti termini utilizzati per descrivere questa tipologia di transistor.
Il pHEMT, o HEMT pseudomorfico, è una variante della tipologia di base di transistor HEMT, con i dispositivi E-pHEMT come tipologia di modalità potenziata.

Transistor JFET

Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).