- Codice RS:
- 839-9957
- Codice costruttore:
- ATF-531P8-BLK
- Costruttore:
- Broadcom
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 839-9957
- Codice costruttore:
- ATF-531P8-BLK
- Costruttore:
- Broadcom
Normative
Dettagli prodotto
HEMT a canale N, Avago
Un transistor a elevata mobilità di elettroni (HEMT, noto anche come FET a eterostruttura o eterogiunzione) è un FET di giunzione che sfrutta due materiali con band gap differenti (ad es. un eterogiunzione) come canale al posto della regione con drogaggio impiegata in un MOSFET. I transistor HEMT sono dotati di buone caratteristiche di alta frequenza e sono generalmente impiegati in applicazioni RF a bassa rumorosità e segnale ridotto.
HEMT, HFET, HJ-FET e MODFET sono tutti termini utilizzati per descrivere questa tipologia di transistor.
Il pHEMT, o HEMT pseudomorfico, è una variante della tipologia di base di transistor HEMT, con i dispositivi E-pHEMT come tipologia di modalità potenziata.
HEMT, HFET, HJ-FET e MODFET sono tutti termini utilizzati per descrivere questa tipologia di transistor.
Il pHEMT, o HEMT pseudomorfico, è una variante della tipologia di base di transistor HEMT, con i dispositivi E-pHEMT come tipologia di modalità potenziata.
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di package | LPCC |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Dissipazione di potenza massima | 1 W |
Numero pin | 8 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Dimensioni | 2.1 x 2.1 x 0.8mm |
- Codice RS:
- 839-9957
- Codice costruttore:
- ATF-531P8-BLK
- Costruttore:
- Broadcom