- Codice RS:
- 806-1757
- Codice costruttore:
- J112
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Pack* |
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*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 806-1757
- Codice costruttore:
- J112
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
JFET a canale N, Fairchild Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | min. 5mA |
Tensione massima gate source | -35 V |
Tensione massima drain gate | 35V |
Configurazione transistor | Singolo |
Configurazione | Single |
Resistenza massima drain source | 50 Ω |
Tipo di montaggio | Su foro |
Tipo di package | TO-92 |
Numero pin | 3 |
Capacità Drain Gate | 28pF |
Capacità source gate on | 28pF |
Dimensioni | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
Larghezza | 4.19mm |
Altezza | 5.33mm |
Lunghezza | 5.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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