MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 192 A, PQFN8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 864-8405
- Codice costruttore:
- FDMS8320LDC
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
2,714 €
(IVA esclusa)
3,311 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 5 | 2,714 € | 13,57 € |
| 10 - 95 | 2,302 € | 11,51 € |
| 100 - 245 | 1,846 € | 9,23 € |
| 250 - 495 | 1,744 € | 8,72 € |
| 500 + | 1,634 € | 8,17 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 864-8405
- Codice costruttore:
- FDMS8320LDC
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 192 A |
| Tensione massima drain source | 40 V |
| Tipo di package | PQFN8 |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 1,7 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 5.85mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 5.1mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 121 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 1.05mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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