IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247

I transistor IGBT discreti di Infineon offrono diverse tecnologie quali NPT, Trenchstop™ e Fieldstop. Possono essere utilizzati in molte applicazioni che possono richiedere commutazione hard e soft quali unità industriali, UPS, inverter, elettrodomestici e cucine a induzione. Alcuni dispositivi includono un diodo antiparallelo o un diodo integrato monoliticamente.

IGBT discreti e moduli, Infineon

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.