MOSFET Infineon, canale N, 4,5 MO, 180 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 495-578
Codice costruttore:: IRFB4110PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 MO, 180 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 495-578
Codice costruttore:: IRFB4110PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 180 A, dissipazione di potenza massima di 370 W - IRFB4110PBF

Questo MOSFET è un efficiente transistor di potenza adatto ad applicazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettricità. La sua struttura robusta e le sue specifiche precise rappresentano una soluzione versatile per le applicazioni in cui efficienza e affidabilità sono essenziali. Con un design in modalità enhancement e una configurazione a canale N, è adatto per operazioni di commutazione ad alta velocità.

Caratteristiche e vantaggi

• La corrente di drenaggio continua massima di 180A supporta prestazioni elevate
• L'intervallo di tensione da drenaggio a sorgente di 100 V consente una vasta gamma di applicazioni
• Il basso RDS(on) di 4,5mΩ riduce la perdita di potenza e aumenta l'efficienza
• La capacità di dissipazione di potenza fino a 370 W garantisce la stabilità
• Le caratteristiche termiche migliorate favoriscono l'affidabilità in condizioni estreme
• La caratterizzazione completa della robustezza in valanga e in dinamica dv/dt favorisce la durata

Applicazioni

• Impiegato nel raddrizzamento sincrono ad alta efficienza per gli alimentatori
• Adatto ai sistemi di continuità
• Ideale per circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità
• Applicabile nei circuiti a commutazione forte e ad alta frequenza

Qual è l'intervallo di temperatura operativa adatto per ottenere prestazioni ottimali?

Funziona efficacemente da -55°C a +175°C, garantendo la funzionalità in vari ambienti.

In che modo il MOSFET riduce al minimo la perdita di energia nei circuiti?

La bassa RDS(on) di 4,5mΩ riduce significativamente le perdite di conduzione, consentendo un funzionamento efficiente nell'elettronica di potenza.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?

Sì, il suo design facilita la commutazione ad alta velocità, rendendolo adatto alle applicazioni che richiedono rapide transizioni on-off.

Quali sono i valori di resistenza termica per un montaggio corretto?

La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,402°C/W, mentre quella tra involucro e dissipatore è di 0,50°C/W, consentendo un'efficace dissipazione del calore.

Quali sono le caratteristiche delle valanghe da considerare durante l'utilizzo?

Supporta valutazioni di energia a valanga a impulso singolo, fornendo protezione contro i picchi di tensione transitori e garantendo affidabilità nella progettazione dei circuiti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 MO
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.82mm
Lunghezza	10.66mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	9.02mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C