Transistor MOSFET Vishay, canale P, 25 mΩ, 5.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-4742
Codice costruttore:: SI4925BDY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Transistor MOSFET Vishay, canale P, 25 mΩ, 5.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 710-4742
Codice costruttore:: SI4925BDY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5.3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	25 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1100 mW
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	33 nC a 10 V
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Transistor MOSFET Vishay, canale P, 25 mΩ, 5.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor