MOSFET DiodesZetex, canale P, 113 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-4256P
Codice costruttore:: DMP2305U-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 113 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

20100 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Aggiunto

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

0,164 €

(IVA esclusa)

0,20 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
600 - 1400	0,164 €
1500 +	0,134 €

Codice RS:: 751-4256P
Codice costruttore:: DMP2305U-7
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	113 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	7,6 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 751-4256P
Codice costruttore:: DMP2305U-7
Costruttore:: DiodesZetex