MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 495-887
Codice costruttore:: IRF7862PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 495-887
Codice costruttore:: IRF7862PBF
Costruttore:: Infineon

IRF7862PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm
Serie	HEXFET

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon