IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (TO-263)
- Codice RS:
- 807-6660
- Codice costruttore:
- HGT1S10N120BNST
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - disponibile 29/10/2025, consegna il giorno successivo per ordini effettuati entro le 19:00
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
3,84 €
(IVA esclusa)
4,68 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 2 - 6 | 3,84 € | 7,68 € |
| 8 - 38 | 3,415 € | 6,83 € |
| 40 - 198 | 3,03 € | 6,06 € |
| 200 - 398 | 2,62 € | 5,24 € |
| 400 + | 2,29 € | 4,58 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 807-6660
- Codice costruttore:
- HGT1S10N120BNST
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Dissipazione di potenza massima | 298 W |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Velocità di switching | 1MHz |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |