IGBT onsemi, VCE 450 V, IC 15,5 A, canale N, D2PAK (TO-263)

Codice RS:: 166-2050
Codice costruttore:: ISL9V2540S3ST
Costruttore:: onsemi

IGBT onsemi, VCE 450 V, IC 15,5 A, canale N, D2PAK (TO-263)

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)

1,291 €

(IVA esclusa)

1,575 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
800 +	1,291 €	1.032,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2050
Codice costruttore:: ISL9V2540S3ST
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor

Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Specifiche

Attributo	Valore
Corrente massima continuativa collettore	15,5 A
Tensione massima collettore emitter	450 V
Tensione massima gate emitter	±14V
Dissipazione di potenza massima	166,7 W
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Tipo di canale	N
Numero pin	3
Configurazione transistor	Singolo
Dimensioni	10.67 x 9.65 x 4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-40 °C