IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, D2PAK (TO-263)

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 50 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica