IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, canale N, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-3944
Codice costruttore:
STGWA50HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

86 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

272 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Paese di origine:
CN
L'IGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Un diodo utilizzato solo a scopo di protezione è co-confezionato in antiparallelo con l'IGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Temperatura di giunzione massima di 175 °C.
Diodo di protezione in contenitore
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura positivo

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