IGBT STMicroelectronics STGWA50HP65FB2, VCE 650 V, IC 86 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-3944
Codice costruttore:
STGWA50HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

86A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

272W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STG

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.9mm

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
L'IGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Un diodo utilizzato solo a scopo di protezione è co-confezionato in antiparallelo con l'IGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Temperatura di giunzione massima di 175 °C.

Diodo di protezione in contenitore

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura positivo

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