IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, canale N, TO-247

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

52,20 €

(IVA esclusa)

63,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 570 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 901,74 €52,20 €
120 - 2401,444 €43,32 €
270 - 4801,406 €42,18 €
510 - 9901,369 €41,07 €
1020 +1,336 €40,08 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-3943
Codice costruttore:
STGWA50HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

86 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

272 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Paese di origine:
CN
L'IGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Un diodo utilizzato solo a scopo di protezione è co-confezionato in antiparallelo con l'IGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Temperatura di giunzione massima di 175 °C.
Diodo di protezione in contenitore
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura positivo

Link consigliati